Каталог статей

Главная » Все схемы » Источники питания » защита от короткого замыкания (электронные предохранители)

Выбранная схема!!!


6369
Защита устройств от смены полярности питания

В процессе проектирования схем, требующих повышенной надёжности, часто встаёт задача реализации защиты устройства от подачи питания обратной полярности. Кроме того, в некоторых случаях подобное возможно при выходе из строя источника питания.

Существует несколько способов защиты схемы. Самая простая схема представляет собой последовательное включение диода Шоттки:


В данной схеме допустимо также использование обычного диода, однако следует учесть, что в этом случае на нём будет выделяться значительная мощность, кроме того, на обычном диоде падение напряжения при прямом включении может достигать 1.2В и более, что критично для низковольтных схем.

Однако, даже в случае использования диода Шоттки с низким падением напряжения, при большой мощности, проходящей через диод, на нём будут заметные потери мощности и он будет ощутимо греться.

Иногда параллельно устройству ставят диоды в обратном включении, которые должны сгореть если перепутать напряжение питания и привести к короткому замыканию. Устройство при этом, скорее всего, потерпит минимум повреждений, но может выйти из строя источник питания, кроме того и сам защитный диод придётся менять.

Есть простая схема, позволяющая избавиться от большинства вышеописанных недостатков. Схема на полевом транзисторе:


Схема работает следующим образом: при подаче питания напряжение проходит через паразитный диод транзистора. Падение на нём достаточно велико — около вольта и более. Однако в результате между затвором и истоком транзистора образуется напряжение, превышающее напряжение отсечки и транзистор открывается. Сопротивление исток-сток резко уменьшается и ток начинает течь уже через открытый транзистор.

При переполюсовке питания ток в цепи течь не будет.

В случае работы в низковольтных цепях, стабилитрон Д1 не нужен. Данный двунаправленный стабилитрон служит для защиты затвора транзистора от пробоя, так как в основном МДП-транзисторы отличаются невысоким напряжением пробоя. Напряжение стабилизации стабилитрона Д1 подбирается исходя из напряжения пробоя затвора - оно не должно его превышать, но должно быть не ниже напряжения отсечки данной модели транзистора.

Rзтв должен ограничить ток через стабилитрон и обеспечить плавное открытие транзистора. Так как мосфеты открываются напряжением, Rзтв может быть достаточно большим, вплоть до сотен килоом, но следует помнить, что на слабых токах напряжение стабилизации может существенно отличаться от номинального.

Вероятно, также допустимо использование супрессора в качестве Д1, но необходимо учитывать номинальные токи устройства.

Интересный факт - аналогичная схема на мосфете используется в iPhone4, и реализована она на микросхеме CSD68803W15.




Источник: http://chipinfo.pro/schematic/power/reverse_polarity_protection.shtml
Категория: защита от короткого замыкания (электронные предохранители) | Добавил: brys99 (03.11.2017)
Просмотров: 383 | Теги: смены, защита, ПОЛЯРНОСТИ, ОТ, устройств, питания | Рейтинг: 0.0/0


Всего комментариев: 0

Все ссылки на книги и журналы, представлены на этом сайте, исключительно для ознакомления, авторские права на эти публикации принадлежат авторам книг и издательствам журналов! Подробно тут!
Жалоба

Пожалуйста оставьте свои комментарии !!!!

Имя *:
Email:
Код *:


ElectroTOP - Рейтинг сайтов
Copyright Zloy Soft (Company) © 2008 - 2017