На странице представлена схема ШИМ регулятора на операционном усилителе.  Достоинство схемы - можно использовать практически любые доступные операционные усилители, подходящие по уровню питающего напряжения.
    

 Уровень выходного эффективного напряжения регулируется путём изменения уровня напряжения  на  неинвертирующем  входе ОУ, что позволяет  использовать схему как составную часть различных регуляторов напряжения и тока, а также  схем с плавным зажиганием и гашением ламп накаливания.  Схема легка в повторении, не содержит редких элементов и при исправных элементах начинает работать сразу, без настройки. Силовой полевой транзистор подбирается по току нагрузки, но для уменьшения  тепловой рассеиваемой мощности желательно использовать транзисторы, рассчитанные на большой ток, т.к. у них наименьшее сопротивление  в открытом состоянии.  Площадь радиатора  для полевого транзистора полностью определяется выбором его типа  и током нагрузки .  Если схема будет использоваться  для регулирования напряжения  в  бортовых сетях + 24В,  для предотвращения пробоя затвора полевого транзистора, между коллектором транзистора VT1 и затвором VT2 следует включить резистор сопротивлением 1 К, а  резистор R6  зашунтировать любым подходящим стабилитроном на 15 В, остальные элементы схемы  не изменяются. Во всех ранее рассмотренных схемах  в качестве  силового полевого транзистора используются   n- канальные транзисторы, как наиболее распространённые и имеющие наилучшие характеристики. 

    
Если требуется  регулировать напряжение на нагрузке, один из выводов которой подключен к "массе" , то  используются схемы, в которых  n -канальный полевой транзистор  подключается стоком к + источника питания, а в цепи истока включается нагрузка.  Для обеспечения  возможности полного открытия полевого транзистора  схема  управления должна содержать  узел повышения напряжения  в цепях управления  затвором  до 27 - 30 В, как это сделано в специализированных микросхемах U6080B ... U6084B,  L9610,  L9611,  тогда между затвором и истоком  будет напряжение не менее 15 В.  Если ток нагрузки не превышает 10А, можно использовать силовые полевые   p- канальные транзисторы, ассортимент которых  гораздо уже  из - за технологических причин.  В схеме изменяется и тип транзистора VT1,  а регулировочная характеристика R7 меняется на обратную. Если  у первой схемы увеличение напряжения управления  (движок переменного резистора перемещается  к  " +"  источника питания) вызывает уменьшение выходного  напряжения на нагрузке, то у второй схемы эта зависимость обратная.  Если от конкретной схемы требуется инверсная от исходной зависимость  выходного напряжения от входного, то в схемах  необходимо поменять структуру транзисторов VT1, т.е транзистор VT1  в первой схеме необходимо подключить как VT1  у второй схемы и наоборот