Преобразователь
постоянного напряжения в переменное
Очень часто
возникает необходимость автономного питания потребителей. Иногда такая необходимость
появляется, если потребитель требует питания с частотой отличной, чем частота
сети (как ниже, так выше частоты сети). Например, необходимо уменьшить частоту
вращения однофазного двигателя или увеличить, для этого нужно изменять
выходную частоту преобразователя. Причем напряжение питания потребителя может
быть различным. 36 В, 42 В, 127 В, 220 В Питание самого преобразователя может
быть также различным. Это аккумуляторы 12 В, 24 В, сеть с частотой 50 Гц.
Для питания таких
потребителей и был разработан преобразователь. Схема преобразователя показана
на рис. 1.
Задающий генератор выполнен на микросхеме DA1. Частота его колебаний регулируется переменным резистором R2. Включение диода VD1 позволило в широких пределах изменять скважность (отношение периода колебаний к длительности импульса), причем
длительность импульса остается постоянной и равной 750 мксек. Это необходимо
для того, чтобы силовые ключи не оказались открытыми одновременно. Увеличивая R1, это время можно пропорционально увеличивать. На
микросхеме DD1.1 выполнен делитель
частоты на 2. С помощью D- триггера DD1.2 получаем двухфазную импульсную последовательность,
задержанную относительно исходной, так как тактовый вход DD1.2 питается через инвертор DD2.1.
Таким образом, состояние триггера DD1.2 изменяется по спаду тактовых импульсов а не фронтов, чем и
достигается задержка, равная длительности тактового импульса. Из прямых и
инверсных выходных сигналов триггеров DD1.1
и DD1.2 логические элементы DD2.2, DD2.3 формируют импульсы управления
силовыми ключами преобразователя. Узлы силовых ключей выполнены по одинаковой
схеме. Для раскачки выходных полевых транзисторов использованы таймеры DA2, DA3, работающие в режиме
инвертирующих триггеров Шмитта. Они позволяют получить импульсы тока затвора
транзисторов с амплитудой до 200 мА, что гарантирует быстрое переключение
транзисторов.
Микросхемы DA2, DA4 питаются с помощью
"бустрепного" способа питания. Он позволяет не использовать
отдельный источник питания для питания микросхем DA2, DA4. Для развязки "верхнего" и
"нижнего" ключей используются оптроны. В качестве силовых ключей
использованы транзисторы IGBT. Эти транзисторы имеют малое
падение напряжения в открытом состоянии, заметно меньшее, чем в силовом
полевом транзисторе. Уменьшение этого напряжения приводит к пропорциональному
снижению мощности, рассеиваемой транзистором, и повышению общего КПД
преобразователя.
Рассмотрим работу
силовых цепей преобразователя. Питается преобразователь от источника постоянного тока
Е. В каждом конкретном случае это может быть аккумулятор 12 В, 24 В, 36 В или
выпрямитель сетевого напряжения. Силовые транзисторы выдерживают напряжение
600 В. В соответствии с питающим напряжением и выбирают трансформатор напряжения
TV1. Для выходного напряжения
частотой 200 Гц, 400 Гц выбирают трансформаторы, которые могут работать на
этой частоте. Цепи управления питаются от напряжения 12 В. Пусть на выходе
логического элемента DD2.2 будет высокий уровень
"1". В этом случае светодиод оптрона U1 не светит, на входе DA2 высокий
уровень, а на выходе низкий уровень "0". Транзистор VT1 закрыт. На выходе инвертирующего триггера DA5 также низкий уровень. Транзистор VT4 также закрыт. В это же самое время на выходе
логического элемента DD2.3 присутствует низкий уровень
"0". Это приводит к свечению светодиода оптрона U2, а также к открытию силовых транзисторов VT2, VT3. Ток от источника питания Е
проходит через транзисторы VT2, VT3 и первичную обмотку трансформатора напряжения TV1. Через лоловину периода уровни напряжений на выходах логических
элементов DD2.2, DD2 3
изменяются на противоположные. Это приводит к закрытию транзисторов VT2, VT3 и открытию VT1, VT4. Ток от источника
напряжения Е проходит через транзисторы VT1, VT4 и обмотку трансформатора TV1. Но ток через обмотку TV1 идет
в противоположном направлении На втооичной обмотке трансформатора получается переменное
напряжение требуемой частоты. Коэффициент трансформации трансформатора TV1 выбирают в соответствии с питающим напряжением Е и
требуемым выходным напряжением.
Диоды VD4 .VD7 устанавливаются в том
случае, когда силовые транзисторы VT1...VT4 не имеют внутреннего
диода. Мощность преобразователя зависит от типа примененных силовых
транзисторов. Полевые транзисторы, а также IGBT транзисторы можно ставить параллельно для увеличения
мощности. Например, полевые транзисторы IRFPS37N50A позволяют коммутировать ток 37 А и выдерживают напряжение между истоком
и стоком до 1000 В.
Вячеслав Калашник
Виталий Черников
г. Воронеж