В практике разработки и отладки различных
электронных устройств часто возникает необходимость измерения амплитуды ВЧ
напряжения. Если это напряжение достаточно велико, то вполне можно обойтись
простейшим детектором на одном диоде и сглаживающем конденсаторе. Но если оно
имеет размах десятков-сотен милливольт, приходится применять различные схемы
смешения диодных детекторов или детекторы на активных элементах. При этом
довольно удобно было бы использовать мультиметр не только для измерения продетектированного напряжения, но и как источник тока смещения для детектора.
Практически удобный, на взгляд автора, вариант такого устройства, применимого
как вместе с мультиметром, так и в качестве элемента схемы КСВ-метра или АРУ
УВЧ, и предлагается в данной статье.
Детекторная
ВЧ головка к мультиллетру с режимом прозвонки диодов
Схема
Принципиальная
схема детекторной головки приведена на рис. 1. Измеряемое ВЧ напряжение с
входного коаксиального разъема через разделительный конденсатор С1 подается на
среднюю точку диодов сборки D1. Продетектированное и сглаженное конденсатором
С2 напряжение попадает на составной эмиттерный повторитель на р-п-р
транзисторах Q1 и Q2 и измеряется мультиметром, с учетом полярности подключенным к выходным
клеммам Р1 и Р2. Мультиметр должен быть включен в режим прозвонки диодов для
обеспечения схемы током питания. Как правило, величина тестового тока
распространенных мультиметров с режимом прозвонки переходов лежит в пределах
1...2 мА. При этом ток смещения через диодную сборку, поступающий с базы Q1, будет меньше тестового тока примерно в Pqi* Pq2 Раз и составит
доли-еденицы мкА.
Особенностью схемы
является инверсный режим работы, то есть при увеличении амплитуды ВЧ напряжения
на выходе падение напряжения между выходами Р1 и Р2 схемы уменьшается. Не
стоит подавать на вход схемы напряжения с размахом более одного вольта из-за
возможности выхода из строя транзисторов и диодной сборки. В случае
вероятности попадания такого напряжения от низкоимпедансного источника
необходимо включить в базу Q1 сопротивление
порядка единиц-десятков килоом для предотвращения пробоя транзисторов и
диодной сборки. Применение диодов Шоттки критично при детектировании слабых
сигналов, диоды с р-n переходом менее чувствительны
за счет более плавного изгиба вольт-амперной характеристики в области малых
токов.
Статическая
характеристика устройства приведена в таблице 1. В графе Uin приведены
амплитудные значения синусоидального входного напряжения частотой 450 кГц, в
графе Uout соответствующие
им показания мультиметра. Измерение входного импеданса макета схемы не
проводилось, по мнению автора он составляет поимеоно 40 кОм II4 пФ.
Схема может
работать AM детектором, если
удалить Q2 и СЗ, эмиттер Q1 подсоединить к положительному выводу источника
питания
Детали
Конструктивно схема
собрана на макете (рис. 2) из двустороннего фольгированного текстолита.
Рисунок дорожек выполнен резаком, фольга с тыльной стороны платы заземлена в
нескольких точках по краю платы.
Все элементы, кроме
разъемов, применены в корпусах для поверхностного монтажа: диодная сборка D1 - SOT23, транзисторы
Q1, Q2 - SOT323, конденсаторы С1...СЗ -
0805. Входной разъем типа BNC, выходной
может быть любой низковольтный, автор применил клеммы типа
"банана".
В случае
использования отечественных компонентов можно попробовать применить диоды
КД514 и транзисторы КТ3107.
Фото в подключенном
к мультиметру виде см. на рис. 3.
Константин Островский
г. Москва
E-mail: k_ostrovsky@mtu-net.ru