Новые сообщения в форуме · Участники · Правила форума · Поиск · RSS ]







  • Страница 1 из 1
  • 1
Модератор форума: Визинга  
Новая топология для УМЗЧ В.В. ( HI-FI )
nissanДата: Воскресенье, 31.03.2013, 17:37 | Сообщение # 1

Репутация:


Группа:
Проверенный паятель


Сообщений: 16
Награды: 1
Статус:Offline
для начала попробуем на порядок увеличить мощность  уселителя сохроняя его качественные покозатели но используя в оконечном каскаде по одной паре мощных IGBT транзисторов жду ваших коментариев
Прикрепления: 6797488.jpg (39.0 Kb)
 
VovkaДата: Вторник, 02.04.2013, 16:34 | Сообщение # 2

Репутация:


Группа:
Помощник администратора


Сообщений: 634
Награды: 19
Статус:Offline
На порядок при таких условиях проблематично , но тема очень интересная и достойна внимания спецов !
Удачи .


"СДЕЛАТЬ ХОТЕЛ УТЮГ , СЛОН ПОЛУЧИЛСЯ ВДРУГ "
 
nissanДата: Вторник, 02.04.2013, 19:09 | Сообщение # 3

Репутация:


Группа:
Проверенный паятель


Сообщений: 16
Награды: 1
Статус:Offline
ya dumayu 4to sverx parametrov ot uselitelya vozmojno polu4it kstati novie operaconniki poyavilis s sverx nizkimi iskajeniyam LME49990 THD-0,00001,i esho voopshe superski LME49830(10) tam voopshe gotovi uselitel napryajeniya posmotrite tak4to nevozmojnoe vozmojno
 
VovkaДата: Четверг, 04.04.2013, 15:32 | Сообщение # 4

Репутация:


Группа:
Помощник администратора


Сообщений: 634
Награды: 19
Статус:Offline
Григор . Привет ! 
Я всё таки настаиваю на кириллице !
А по поводу предположений : - хотелось бы увидеть хотя бы черновые , близкие к схемным решениям предложения .
Тема действительно перспективная . По мере развития ( надеюсь ) подключатся и спецы и заинтересованные .
Удачи .


"СДЕЛАТЬ ХОТЕЛ УТЮГ , СЛОН ПОЛУЧИЛСЯ ВДРУГ "
 
nissanДата: Пятница, 05.04.2013, 00:01 | Сообщение # 5

Репутация:


Группа:
Проверенный паятель


Сообщений: 16
Награды: 1
Статус:Offline
да да да я немного забылся по поводу кирилицы,а насчет схемных решений я предлогаю для начала определится с выходным каскадом подобрать нужные транзисторы я буквально непомню где говорил что чем больше паралелиш на выходе транзисторов тем больше получаеш искожений серий мощных IGBT транзисторов много  совсем не обязательно выжимать из одной пары сразу 1000w качественные 500w ето тоже победа да и у автора не мало человек 400w выжил, совсем не обязательно полностю повторять авторский вариант схемы возможно будут способы схематически что то  изменить самое главное результат конечный итог ето получить досточно мощный и достаточно качественный уселитель я недавно неспроста про операционники с ультра низкими искожениями упомянул LME49990,LME49710 итд. вот пусть спецы дадут совет по етому поводу  smile
 
  • Страница 1 из 1
  • 1
Поиск:

- ЕСТЬ НОВОЕ СООБЩЕНИЕ
- НЕТ НОВЫХ СООБЩЕНИЙ

Copyright Zloy Soft (Company) © 2008 - 2024