Фоторези́стор — полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом.
Для изготовления фоторезисторов используют полупроводниковые материалы с шириной запрещенной зоны, оптимальной для решаемой задачи. Так, для регистрации видимого света используются фоторезисторы из селенида и сульфида кадмия, Se. Для регистрации инфракрасного излучения используются Ge (чистый или легированный примесями Au, Cu или Zn), Si, PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, HgCdTe, часто охлаждаемые до низких температур. Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку или вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой или пластинку полупроводника снабжают двумя электродами и помещают в защитный корпус. 
Условное обозначение фоторезистора
Фоторезистор
Важнейшие параметры фоторезисторов:
интегральная чувствительность — отношение изменения напряжения на единицу мощности падающего излучения (при номинальном значении напряжения питания);
порог чувствительности — величина минимального сигнала, регистрируемого фоторезистором, отнесённая к единице полосы рабочих частот.
- ЕСТЬ НОВОЕ СООБЩЕНИЕ 
- НЕТ НОВЫХ СООБЩЕНИЙ
Главная 
О сайте
Об ответственности
Для активных
Каталог сайтов
Html Код кнопки сайта
Форум 
Новые сообщения в форуме
Поиск по форуму
Правила форума
RSS
Схемы 
Найти схему по номеру
Схемы участвующие в конкурсах
Инструменты
Теория
Схемы для начинающих
Конструкции для дома и дачи
Cхемы бытовых устройств
Усилители НЧ и все к ним
Шпионские штучки
Радиосвязь
Автомобиль
Компьютер и электроника
Микроконтроллеры
Источники питания
Download
Радио-SOFT 
Журналы
Книги по электронике 
Прошивки, печатки, документация
Вход 
Регистрация
