- крутизна у транзисторов Lateral MOSFET с ростом тока стока практически постоянна, а у вертикальных (VMOS или HEXFET) даже растет, в отличие от БТ, у которых сначала растет до определенного значения тока коллектора, а затем резко падает;
- более широкополосны, чем БТ, и не обладают "памятью заряда";
- отсутствует "вторичный пробой". Недостатки полевых транзисторов:
- большое сопротивление в открытом состоянии (Lateral MOSFET)
и, соответственно, большое напряжение насыщения (до 12 В), что требует параллельного включения ПТ. Оптимальный ток покоя — выше, чем для БТ, поэтому ниже КПД;
- индуктивная составляющая выходного сопротивления вызывает "мягкий подвоз-буд" на частотах в десятки мегагерц за счет последовательного ре-зонанса.   "Лечится"
включением резисторов (100...470 Ом) в затворы ПТ, которые совместно с входной емкостью образуют ФНЧ с частотой среза несколько мегагерц.

Гибридный выходной каскад по схеме Шиклаи с полевыми транзисторами в качестве выходных показан на рис.28. Диоды VD1, VD2 служат для улучшения температурной стабилизации каскада, конденсаторы С1, С2 — для получения максимально плоской характеристики на высоких частотах. Транзистор схемы смещения (на схеме не показан) должен иметь тепловой контакт с одним из входных транзисторов (VT1 или VT2).

Входное сопротивление такого ВК примерно такое же, как и у "двойки" Дарлингтона со спаренными выходными транзисторами. Нелинейные искажения при работе на нагрузку 4 Ом в диапазоне 1 ...20 кГц — при RG=10KOM KTHD=1% при RG=100OM KTHD=0,01 %. Коэффициент передачи этого каскада сильно зависит от выходного сопротивления источника сигнала, что и приводит к девиации фазы сигнала на частоте 20 кГц (рис.29). Входное сопротивление при выходном напряжении 30 В и нагрузке 4 Ом равно 100 кОм, причем оно достаточно симметричное для обоих полуволн сигнала.

Выходные каскады, в которых базы (истоки) входных эмиттерных (истоковых) повторителей на транзисторах разной структуры объединены, называют "параллельными" [3]. Рассмотрим схему параллельного усилителя на полевых транзисторах (рис.30). Для температурной стабилизации ВК транзисторы VT2, VT3 необходимо размещать на общем теплоотводе.



Полоса пропускания такого ВК имеет хороший запас (рис.31). В этой конфигурации можно использовать и Lateral MOSFET. В этом случае в качестве входных можно использовать транзисторы типов 2SK213...2SK216, 2SJ76...2SJ79 (перечень мощных транзисторов приведен в [5]).

При использовании транзисторов Lateral температурной стабилизации не требуется, кроме того, в качестве VT2, VT3 можно использовать БТ средней мощности.
Входное сопротивление этого ВК — самое высокое из всех рассмотренных до этого каскадов (около 470 кОм на частоте 20 кГц), однако также имеет несколько асимметричный характер.

Простой анализ показывает, что все рассмотренные ВК на биполярных транзисторах имеют сравнительно низкое и нестабильное входное сопротивление, зависящее от изменения нагрузки, и, как следствие, им присуща девиация фазы сигнала (до 33° на частоте 20 кГц), что отрицательно сказывается на работе УН. Причем спаривание и даже счетверение выходных транзисторов не спасает положение. ВК Шиклаи, хотя и имеет сравнительно небольшие искажения, отличается самой большой индуктивной составляющей выходного сопротивления.



Это является причиной узкой полосы пропускания и завышенной девиации фазы сигнала. ВК с ПТ, хотя и уступают ВК на БТ по нелинейным искажениям при низко-омном источнике сигнала, но зато имеют более широкую полосу пропускания и стабильное выходное сопротивление, в результате чего им не присуща девиация фазы сигнала в звуковом диапазоне. Применение "алмазного" транзистора приводит к заметному удорожанию схемы, так как два мощных транзистора в ВК (как минимум) используются в качестве пассивных элементов.

(Продолжение следует)