ВА511, ВА521, ВА532

Интегральные микросхемы ВА511, ВА521 и ВА532 фирмы Rohm выполнены в корпусах SIP1 с 10 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:

	ВА511	ВА521	ВА532
Uccmin	6 V	6 V	9 V
Uccmax	16 V	18 V	16 V
Icc0(Uвх.=0)	15 mА	18 mA	12 mA
Pвых.(13V/4Ω)	4,5 W	5,8 W	5,8 W
Ку	42 dB	42 dB	42 dB
ΔF	30Hz-18KHz	30Hz-18KHz	30Hz-18KHz
Кг(Pвых.=0,2W,f=1KHz)	0,25%	0,23%	0,2%
Rвых.nom	4Ω	4Ω	4Ω

 

ВА516, ВА526, ВА527, ВА546

Интегральные микросхемы ВА516, ВА526, ВА527 и ВА546 фирмы Rohm выполнены в корпусах SIL с 9 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса с батарейным питанием. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:

	ВА516	ВА526	ВА527	ВА546
Uccmin	2 V	2 V	2,8 V	2 V
Uccmax	9 V	9 V	9 V	12 V
Icc0(Uвх.=0)	5 mA	16 mA	16 mA	4,8 mA
Pвых.max	0,35 W	0,43 W	0,8 W	0,35 W
Ку	42 dB	42 dB	42 dB	42 dB
ΔF	40Hz-17KHz	40Hz-17KHz	40Hz-17KHz	40Hz-17KHz
Кг(Pвых.=0,1W,f=1KHz)	0,5%	0,23%	0,2%	0,5%
Rвых.nom	8Ω	8Ω	4Ω	8Ω

ВА5302А, ВА5304

  

Интегральные микросхемы ВА5302А и ВА5304 фирмы Rohm выполнены в корпусах TABS7 с 12 выводами и представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

	ВА5302А	ВА5304
Uccmin	6 V	6 V
Uccmax	14 V	16 V
Icc0(Uвх.=0)	35 mA	38 mA
Pвых.max	2,4 W	3 W
Ку	42 dB	42 dB
ΔF	30Hz-17KHz	30Hz-17KHz
Кг(Pвых.=0,2W,f=1KHz)	0,20%	0,23%
Rвых.nom	4Ω	3Ω

 

DBL1034-A, KA2206, KA22061, LA4180, LA4182, LA4183, LA4190, LA4192, LA4550, LA4555, LA4558

Интегральные микросхемы DBL1034-A (Gold Star), KA2206 и КА22061 (Samsung), LA4180, LA4182, LA4183, LA4190, LA4192, LA4550, LA4555 и LA4558 (Sanyo) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах TABS7 с 12 выводами. Представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты и предназначены для использования в магнитофоцах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Для получения удвоенной выходной мощности на том же сопротивлении нагрузки, при том же напряжении питания, микросхемы можно подключать по мостовой схеме.Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

	Uccmin	Uccmax	Icc0	ΔF	Rвых.	Pвых.	Кг	Ку
DBL1034-A	5 V	15 V	10 mA	30Hz-18KHz	4Ω	2,3W	0,5%	62dB
КА2206	5 V	15 V	10 mA	30Hz-18KHz	4Ω	2,3W	0,5%	62dB
КА22061	6 V	14 V	12 mA	30Hz-18KHz	4Ω	2,3W	0,5%	62dB
LA4180	4,5 V	9 V	10 mA	30Hz-18KHz	4Ω	1 W	0,3%	62dB
LA4182	4,5 V	12 V	15 mA	30Hz-18KHz	4Ω	2,3 W	0,3%	62dB
LA4183	4,5 V	12 V	15 mA	30Hz-18KHz	4Ω	2,3 W	0,15%	62dB
LA4190	4,5 V	9 V	10 mA	30Hz-18KHz	4Ω	1 W	0,5%	62dB
LA4192	4,5 V	11 V	12 mA	30Hz-18KHz	4Ω	2,3W	0,5%	62dB
LA4550	4,5 V	12 V	10 mA	30Hz-18KHz	4Ω	0,8 W	0,5%	62dB
LA4555	6 V	12 V	15 mA	30Hz-18KHz	4Ω	2,4 W	0,5%	62dB
LA4558	7,5 V	12 V	15 mA	30Hz-18KHz	3Ω	2,1 W	0,5%	62dB

В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

ESM432C, ESM532C, ESM632C, ESM732C, ESM1432C, ESM1532C, ESM1632C, ESM1732C, TDA1111SP

Перечисленные ин тегральные микросхемы фирмы Thomson выполнены в корпусах SIP2c 14 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с двухполярным питанием. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:

	Uccmin	Uccmax	Icc0	ΔF	Rвых.	Pвых.	Кг	Ку
ESM432C	±4,5V	±14V	25mA	20Hz-20KHz	4Ω	20W	0,5%	64dB
ESM532C	±4,5V	±15V	25mA	20Hz-20KHz	8Ω	10W	0,5%	62dB
ESM632C	±4,5V	±12V	25mA	20Hz-20KHz	4Ω	14W	0,5%	62dB
ESM732C	±4,5V	±9V	25mA	20Hz-20KHz	2Ω	8W	0,3%	62dB
ESM1432C	±4,5V	±15V	30mA	20Hz-20KHz	4Ω	20W	0,5%	62dB
ESM1532C	±4,5V	±16V	30mA	20Hz-20KHz	4Ω	20W	0,5%	62dB
ESM1632C	±4,5V	±13V	30mA	20Hz-20KHz	4Ω	14W	0,5%	62dB
ESM1732C	±4,5V	±9V	30mA	20Hz-20KHz	2Ω	8W	0,3%	62dB
TDA1111SP	±6V	±15V	25mA	20Hz-20KHz	4Ω	20W	0,3%	62dB

 

НА1350, НА1370

 

Интегральные микросхемы НА1350 и НА1370 фирмы Hitachi выполнены в корпусах SIP4 с 10 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса с двухполярным (несимметричным) питанием. Некоторые из основных па раметров микросхем следующие:

Uccnom	±22 V
Ucc1nom	25 V
Icc0(Uвх.=0)	50 mA
Pвых.(±25V/8Ω)	18 W
Ку	52 dB
ΔF	20Hz-20KHz
Кг(Pвых.=0,5W,f=1KHz)	0,15%
Rвых.nom	8Ω

В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

НА1371

Интегральная микросхема НА1371 фирмы Hitachi выполнена в корпусе TABS7 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты спроектированный по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных кассетных магнитофонах и электрофонах среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:Uccnom

Uccnom	12 V
Icc0(Uвх.=0)	40 mA
Pвых.(9V/4Ω)	7,3 W
Ку	42 dB
ΔF	30Hz-20KHz
Кг(Pвых.=1W,f=1KHz)	0,3%
Rвых.nom	4Ω

В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

НА 13001

Интегральная микросхема НА13001 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin	8 V
Uccmax	18 V
Icc0(Uвх.=0)	80 mA
Pвых.(13V/4Ω)	5,5 W
Rвх.	120 KΩ
Ку	42 dB
ΔF	20Hz-20KHz
Кг(Pвых.=0,5W,f=1KHz)	0,25%
Rвых.nom	4Ω

 

НА13119

Интегральная микросхема НА13119 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP3 с 15 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin	8 V
Uccmax	16 V
Icc0(Uвх.=0)	20 mA
Pвых.(13V/4Ω)	2,2 W
Rвх.	100 KΩ
Ку	48 dB
ΔF	30Hz-18KHz
Кг(Pвых.=0,5W,f=1KHz)	0,35%
Rвых.nom	4Ω

 KA22062, KIA6283, TA7233P, TA7283AP

Интегральные микросхемы КА22062 и KIA6283 (Samsung), ТА7233Р и ТА7283АР (Toshiba) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах SIP4 с 12 выводами и представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в кассетных магнитофонах, электрофонах, радио и телевизионных приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin	6 V
Uccmax	15 V
Icc0(Uвх.=0)	19 mA
Pвых.(13V/4Ω)	4,5 W
Ку	48 dB
ΔF	30Hz-18KHz
Кг(Pвых.=0,1W,f=1KHz)	0,2%
Rвых.nom	4Ω

Источник: radvs.boom.ru