Обращённый диод — полупроводниковый диод, на свойства которого значительно влияет туннельный эффект в области p-n перехода.[1] В отличие от туннельного диода вольт-амперная характеристика обращённого диода практически не имеет «горба», что обусловлено немного меньшей, чем у туннельного диода, концентрацией примесей в полупроводнике.[2] Из-за неполного легирования обладает значительной температурной зависимостью.
Обозначение на схемах. От катода к аноду — прямое (проводящее) направление тока. От анода к катоду — обратное (запирающее) направление тока.
Вольт-амперная характеристика обращённого диода (сплошная линяя), и туннельного диода (пунктирная)