Сигналы, поступающие от датчиков, как правило, имеют малую амплитуду, недостаточную для непосредственной обработки в МК. Требуются входные усилители напряжения. Простейшие из них строятся на маломощных транзисторах общего применения (Табл. 3.6). Их конкретные названия и частотные свойства особой роли не играют. Это связано с тем, что параметры современных кремниевых транзисторов примерно одинаковы у разных фирм-изготовителей, а быстродействие — на порядок-два выше, чем может обработать МК.

Таблица 3,6. Типовые параметры маломощных биполярных транзисторов

На Рис. 3.18, а...п показаны схемы входных транзисторных усилителей. При большом уровне сигналов они превращаются в формирователи прямоугольных импульсов с высокой крутизной фронтов.

а) диоды VD1, VD2 ограничивают входной сигнал по амплитуде. Цепочки R1, С1 и R3, L1 служат для коррекции фронтов сигнала. Чувствительность 200 мВ, максимальная входная частота 10...30 МГц. Чтобы понизить частоту сигнала, вместо резистора R4 ставят цифровой делитель;

б) резистором R1 плавно регулируется чувствительность. Допустимая частота до 1 МГц;

в) входной сигнал Uвх проходит через два противофазных канала на две линии МК;

г) широкополосный усилитель с диапазоном частот 30 Гц... 100 МГц. Входное сопротивление не менее 1 МОм на частоте 1 кГц, чувствительность 75 мВ;

д) усилитель напряжения С.Чекчеева. Особенности: высокая линейность и низкий уровень гармоник. Коэффициент усиления определяется числом последовательно включённых диодов, в данном случае Ку = 4;

е) широкополосный усилитель-ограничитель. Чувствительность 50 мВ, диапазон частот до 40 МГц. Для ВЧ-сигналов (более 1...5 МГц) на входе МК надо ставить цифровой делитель;

ж) аналогично Рис. 3.18, д, но коэффициент усиления определяется числом последовательно включённых транзисторов, вданном случае Ку= 3;

з) элементы R1, R2, С1...СЗ корректируют АЧХ в области низких и высоких частот. Резистором R3 выбирается оптимальная рабочая точка транзистора VT1 Диод VD1 — защитный; О

и) транзисторы VT2, VT3 включены по схеме «токовое зеркало». Диоды VD1, VD2 ограничивают входной сигнал по амплитуде «сверху» и «снизу». Диод VD3 отсекает шумы и помехи;

к) дифференциальный импульсный усилитель на транзисторах VT1, VT2;

л) на вход МК поступает усиленный аналоговый сигнал (Uвх1) и цифровая последовательность (Uвх2). Элементы С1, С2, R4, R5, VD1 служат для развязки каналов;

м) усилитель с простейшим полосовым фильтром на транзисторе VT1. Конденсатор С/ «срезает» амплитуду сигналов на низких, а конденсатор С2 — на высоких частотах;

н) через резистор R1 подаётся питание +5 В на внешнее устройство, подключаемое к разъёму XS1. ВЧ-сигнал от внешнего устройства усиливается транзистором VT1. Входное сопротивление со стороны разъема XS1 по высокой частоте составляет примерно 100 Ом (это номинал резистора R1), при этом условно считается, что конденсатор С/ по переменному току закорочен; О

О Рис. 3.18. Схемы входных транзисторных усилителей (окончание): о) транзистор VT1 находится в режиме отсечки и открывается только положительной полуволной входного сигнала. При больших номиналах элементов R2, C2 высокой частоте приёма, на входе МК будет постоянно удерживаться НИЗКИЙ уровень (детектор наличия сигнала);

п) транзисторный усилитель с повышенным входным сопротивлением (определяется резистором R5 и параметром h21э транзисторов VT1, VT2). Резистором R1 задаётся чувствительность.